基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用新一代SiC MOSFET芯片技术，在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现出色，主要的产品有BMF80R12RA3和BMF160R12RA3。

BMF80R12RA3（I_D=80A@T_c=100℃，R_DS(on)=15mΩ）产品与高速大电流IGBT在20kW逆变焊机应用工况中进行电力电子仿真对比。仿真数据表明，相对于IGBT时代只运行在20kHz的开关频率，碳化硅MOSFET可在80kHz等更高开关频率下运行时，其总损耗相较于IGBT模块还能降低50%左右。

产品优势

- 低导通电阻

高温导通电阻表现优异，导通损耗低。

- 开关损耗低

开关损耗低，逆变焊机可以工作在更高频率，进一步减小整个焊机的质量、体积和噪声，同时动态响应速度将加快、输出电流电压波形的控制将更加准确。

-输出电流大

模块热阻低，高温下工作的输出电流更高。

应用领域：逆变焊机、感应加热、高频逆变器。