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34mm封装工业级碳化硅MOSFET半桥模块

放大字体  缩小字体 发布日期:2024-11-15 22:37:21    浏览次数:145
导读

储能变流器PCS碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命

34mm封装工业级碳化硅MOSFET半桥模块

产品详情

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块,该系列产品采用新一代SiC MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现出色,主要的产品有BMF80R12RA3BMF160R12RA3

BMF80R12RA3(ID=80A@Tc=100℃,RDS(on)=15mΩ)产品与高速大电流IGBT在20kW逆变焊机应用工况中进行电力电子仿真对比。仿真数据表明,相对于IGBT时代只运行在20kHz的开关频率,碳化硅MOSFET可在80kHz等更高开关频率下运行时,其总损耗相较于IGBT模块还能降低50%左右。

34mm.png

产品优势

- 低导通电阻

高温导通电阻表现优异,导通损耗低。

- 开关损耗低

开关损耗低,逆变焊机可以工作在更高频率,进一步减小整个焊机的质量、体积和噪声,同时动态响应速度将加快、输出电流电压波形的控制将更加准确。

-输出电流大

模块热阻低,高温下工作的输出电流更高。


应用领域:逆变焊机、感应加热、高频逆变器

产品列表

Part   No.

Data

Sheet

VDSS

(V)

RDS(on)

(mΩ) @ 25℃

IDnom

(A) @ Tc=100℃

VGS(op)

(V)

VGS(th)

(V)

VSD

(V)

QG

(nC)

Package

Name


BMF80R12RA3 333.png
1200 15 80 +18/-4 2.7
4.0 220 34mm 样品申请
BMF160R12RA3 / 1200 8 160 +18/-4 2.7
4.0 440 34mm 样品申请
 
(文/小编)

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