今天小编为大家带来一篇关于芯片清洗与芯片级（CSP）封装技术定义与分类介绍~
芯片级（CSP）封装技术
一、CSP定义：
根据J-STD-012标准的定义，CSP是指封装尺不超过裸芯片1.2倍的一种先进的封装形式。一般认为CSP技术是在对现有的芯片封装技术，尤其是对成熟的BGA封装技术做进一步技术提升的过程中，不断将各种封装尺寸进一步小型化而产生的一种封装技术。
CSP技术可以确保超大规模集成电路在高性能、高可靠性的前提下，以z低廉的成本实现封装的尺寸z接近裸芯片尺寸。与QFP封装相比，CSP封装尺寸小于管脚间距为0.5mm的QFP封装的1/10；与BGA封装相比，CSP封装尺寸约为BGA封装的1/3。
当封装尺寸固定时，若想进一步提升管脚数，则需缩小管脚间距。受制于现有工艺，不同封装形式存在工艺极限值。如BGA封装矩阵式值球z高可达1000个，但CSP封装可支持超出2000的管脚。
CSP的主要结构有内芯芯片、互连层、焊球（或凸点、焊柱）、保护层等几大部分，芯片与封装壳是在互连层实现机械连接和电性连接。其中，互连层是通过载带自动焊接或引线键合、倒装芯片等方法，来实现芯片与焊球之间的内部连接，是CSP关键组成部分。
目前有多种符合CSP定义的封装结构形式，其特点有：
1.CSP的芯片面积与封装面积之比与1：1的理想状况非常接近，绝对尺寸为32mm2，相当于BGA的三分之一和TSOP的六分之一，即CSP可将内存容量提高3～6倍之多。
2.测试结果显示，CSP可使芯片88.4%的工作热量传导至PCB，热阻为35℃/W-1，而TSOP仅能传导总热量的71.3%，热阻为40℃/W-1。
3.CSP所采用的中心球形引脚形式能有效地缩短信号的传导距离，信号衰减也随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能更强，存取时间比BGA减少15%～20%，完全能适应DDRⅡ，DRDRAM等超高频率内存芯片的实际需要。
4.CSP可容易地制造出超过1000根信号引脚数，即使z复杂的内存芯片都能封装，在引脚数相同的情况下，CSP的组装远比BGA容易。CSP还可进行全面老化、筛选、测试，且操作、修整方便，能获得真正的KGD（Known GoodDie已知合格芯片）芯片。
二、CSP封装形式主要有如下分类：
芯片级封装的主要类型：
1.柔性基片CSP
顾名思义是采用柔性材料制成芯片载体基片，在塑料薄膜上制作金属线路，然后将芯片与之连接。柔性基片CSP产品，芯片焊盘与基片焊盘间的连接方式可以是倒装键合、TAB键合、引线键合等多种方式，不同连接方式封装工艺略有差异。
2.硬质基片CSP
其芯片封装载体基材为多层线路板制成，基板材质可为陶瓷或层压树脂板。
3.引线框架CSP
技术是由日本的Fujitsu公司首先研发成功，使用与传统封装相类似的引线框架来完成CSP封装。引线框架CSP技术使用的引线框架与传统封装引线框架的区别在于该技术使用的引线框架尺寸稍小，厚度稍薄。
4.微小模塑型CSP
是由日本三菱电机公司提出的一种CSP封装形式。芯片管脚通过金属导线与外部焊球连接，整个封装过程中不需使用额外引线框架，封装内芯片与焊球连接线很短，信号品质较好。
5.晶圆级CSP
由ChipScale公司开发。其技术特点在于直接使用晶圆制程完成芯片封装。与其他各类CSP相比，晶圆级CSP所有工艺使用相同制程完成，工艺稳定。基于上述优点，晶圆级CSP封装有望成为未来的CSP封装的主流方式。
三、芯片清洗
芯片封装清洗：合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物，到底哪些才是z备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量z主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。
推荐使用合明科技水基清洗剂产品。
